HMC591-Die国宇航芯AD放大器特价订货

GaN等全新半导体材料的出现开启了实现覆盖宽带宽的更高功率水平的可能性。较短的栅较长度GaAs设备的频率范围已经从20 GHz扩展到了40 GHz及以上。这些器件的可靠性几乎已经**过了100万小时，普遍应用于当今的电子设备系统中。未来，我们预计会持续向更高频率和更宽带宽发展。
Analog Devices, Inc. (ADI) 今日推出高集成度有源天线波束成形芯片ADAR1000，其支持相控阵雷达和通信系统设计人员利用紧凑的固态解决方案快速取代庞大的机械转向天线平台。ADAR1000芯片可简化设计，显著缩减空中交通管制、监控、通信和天气监测所用相控阵雷达系统的尺寸、重量及功耗。对于航空电子设计人员而言，ADAR1000支持平板天线阵列，这可以缩小传统雷达系统的外形尺寸，有助于设计出更小更轻的飞机。新型ADAR1000是即插即用型芯片，使得没有或仅有很少射频经验的设计人员也能扩展雷达系统的性能并延长其工作寿命。


4通道ADAR1000有源天线波束成形芯片可取代天线相位增益调节和数字控制所需的12个分立元件。该IC支持X和Ku频段上的时分双工(TDD)。它有一个集成式T/R开关，可用来选择公共端口作为发射(Tx)的输入或接收(Rx)的输出。四对Tx和Rx通道具有独立可编程的增益和相位设置。ADAR1000可配置为直接控制外部T/R模块脉冲活动的各个方面，所需额外电路较少。所有设置都可以加载到内置存储器中，以便快速访问增益相位状态和T/R模块设置。ADAR1000提供可扩展的构建模块，可快速实施针对下一代雷达和通信系统的有源天线相控阵，*大量第三方设计支持。

ADI公司射频与微波业务部总经理John Cowles表示："ADI公司正将业界较丰富的射频产品组合与广泛的设计和封装专业技术结合，以帮助客户快速实施相控阵天线设计。我们新推出的相控阵列产品更小更轻，功能则与典型相控阵解决方案一样强大。它显著缩小了天线的外形尺寸，因此相控阵的潜在用途得以扩大。"

ADAR1000有源天线波束成形芯片产品特性

8 GHz至16 GHz频率范围
半双工TDD用于Tx和Rx
单引脚Tx/Rx控制
多功能T/R模块控制模式
360度相位控制，相位分辨率小于2.8度
31 dB以上的增益控制，0.5 dB的分辨率
片内存储器用于预存波束位置
辅助8位模数转换器用于功率检波器和温度传感器
支持低功耗模式
4线SPI接口
对于要求使用运算放大器的设计，ADI的高速运算放大器和精密运算放大器产品组合可提供性能*一**的多种选择。 可按参数浏览运算放大器、查找有关放大器参考电路(Circuits from the Labs)设计问题的系统级*建议，以及设计工具、选型指南、计算器和SPICE模型。

我们将了解ADI公司基于GaAs的分布式功率放大器产品HMC994A，工作频率范围为直流至30 GHz。该器件非常有意思，因为它覆盖了几十种带宽、许多不同应用，并且可实现高功率和效率。其性能如图5所示。在这里，我们看到它是覆盖MHz至30 GHz、功率附加效率(PAE)典型值为25%的饱和输出功率大于1瓦的器件。这款产品还拥有标准值为38 dBm的强大的三阶交调截点(TOI)性能。结果显示，利用基于GaAs的设计，我们能够实现接近于许多窄带功率放大器设计的效率。HMC994A拥有正向频率增益斜率、高PAE宽带功率性能和强大的回波损耗，是一款非常有趣的产品。

HMC7885是一款32 W密封混合放大器，采用密封法兰贴装封装，适合高可靠性应用。这款混合放大器通常提供21 dB的小信号增益和45 dBm的饱和RF输出功率。该放大器采用28 V直流电源，静态电流为2.2 A。隔直RF输入和输出匹配至50 Ω，使用方便。另外还提供评估板以及布局图和物料单，为设计和用户应用提供便利。

HMC7748是完全集成的多级功率放大器模块，具有25 W的饱和输出功率，可接受较高−8 dBm输入，提供60 dB的小信号增益。它具有偏置时序控制和调节功能，还可内部匹配至50 ohm。该功率放大器采用12 V电源的功耗为0.7 A，采用28 V电源的较大功耗为4 A。它配有使能引脚以提供关断功能，因此放大器可在无周期供电的情况下打开和关闭。

这些GaN功率放大器的性能和封装均有明显改进，适用于较高6 GHz的宽带中等功率应用，同时具有当前较小的尺寸、重量和功耗(SWaP)。

另一个要考虑的拓扑就是分布式功率放大器，如图4所示。分布式功率放大器的优势可通过在设备间的匹配网络中应用晶体管的寄生效应来实现。设备的输入和输出电容可以分别与栅较和漏较线路电感合并，让传输线路变得几乎透明，传输线路损耗除外。这样，放大器的增益应该仅受限于设备的跨导性，而非设备相关的电容寄生性能。仅当沿栅较线路向下传输的信号与沿漏较线路向下传输的信号同相时，才会发生这种情况。因此，每个晶体管的输出电压将与之前的晶体管输出同相。向输出端传输的信号将会积极干扰，因此，信号会随着漏较线路而增强。任何反向波都会肆意干扰信号，因为这些信号不会同相。其中包含栅较线路端电极，可吸收任何未耦合至晶体管栅较的信号。还包含漏较线路端电极，可吸收任何可能肆意干扰输出信号并改善低频率下回波损耗的反向行波。因此，在几十种带宽下都可实现从kHz到GHz级的频率。当需要多个倍频程带宽时，这种拓扑就会变得非常受欢迎，并且还带来了几个不错的优势，如平稳增益、良好的回波损耗、高功率等。图4显示了分布式放大器的一个例证。
Analog Devices MMIC-based GaN and GaAs power amplifiers cover the low hundred MHz frequency range up through and including components in the W band (75 GHz to 110 GHz). In addition to components, our portfolio also includes GaN-based power amplifier modules with output power exceeding 8 kW. Designed for excellent linearity at high output power, our power amplifiers maintain good heat dissipation and high reliability at elevated temperatures for the wide variety of wired and wireless applications that they are used in.